揚(yáng)州欣達(dá)電子有限公司

從蒸發(fā)源或?yàn)R射靶中出來的沉積粒子到達(dá)基片表面之后，經(jīng)過吸附、凝結(jié)、表面擴(kuò)散、遷移、碰撞結(jié)合形成穩(wěn)定晶核。然后再通過吸附使晶核長大成小島，島長大后互相聯(lián)結(jié)聚集，*形成連續(xù)薄膜。在這樣的成膜過程中，蒸發(fā)法和濺射法的主要區(qū)別是:

對于真空蒸發(fā)法，其入射到基片上的氣相原子對基片表面沒有影響，成核條件不發(fā)生改變。在蒸發(fā)過程中，基片和薄膜表面受殘余氣體分子或原子的轟擊次數(shù)較少，大約10的13次/cm²·s。所以雜質(zhì)氣體摻人到薄膜中的可能性較小。另外，蒸發(fā)的氣相原子與殘余氣體很少發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。基片和薄膜的溫度變化也不顯著。

對于濺射法，入射到基片表面的離子和高能中性粒子對基片表面影響較大，可使基片表面變得比較粗糙、產(chǎn)生離子注入、表面小島暫時(shí)帶電以及與殘余氣體分子發(fā)生化學(xué)反應(yīng)等。所以成核條件就有明顯變化，成核中心形成過程加快，成核密度顯著提高，工作氣體分子、殘余氣體分子、原子和離子都可對基片表面產(chǎn)生量級為10的17次/cm²·s的轟擊。這顯然比蒸發(fā)過程中出現(xiàn)的要大得多。因此雜質(zhì)氣體或外部材料摻入薄膜的機(jī)會較多，在薄膜中容易發(fā)生活化或離化等化學(xué)反應(yīng)。另外，由于入射的濺射粒子有較大動(dòng)能，基片和薄膜的溫度變化也比較顯著。